DMTH6006SPS-13
Hersteller Produktnummer:

DMTH6006SPS-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMTH6006SPS-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 17.8A (Ta), 100A (Tc) 2.94W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventar:

12884059
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMTH6006SPS-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.8A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1721 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.94W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMTH6006

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMTH6006SPS-13DI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMT6030LFDF-13

MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN

diodes

DMNH6012SPS-13

MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8

diodes

DMN4025LSD-13

MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

diodes

DMP2066LDMQ-7

MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26