DMTH6004LPSWQ-13
Hersteller Produktnummer:

DMTH6004LPSWQ-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMTH6004LPSWQ-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

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DMTH6004LPSWQ-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
78.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5399 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.6W (Ta), 138W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMTH6004LPSWQ-13
HTML-Datenblatt
DMTH6004LPSWQ-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMTH6004LPSWQ-13TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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