DMTH43M7LFGQ-7
Hersteller Produktnummer:

DMTH43M7LFGQ-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMTH43M7LFGQ-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 3.5W (Ta), 65.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

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DMTH43M7LFGQ-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2182 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMTH43M7LFGQ-7
HTML-Datenblatt
DMTH43M7LFGQ-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-DMTH43M7LFGQ-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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