DMTH4011SPDQ-13
Hersteller Produktnummer:

DMTH4011SPDQ-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMTH4011SPDQ-13-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 11.1A (Ta), 42A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventar:

8123 Stück Neu Original Auf Lager
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DMTH4011SPDQ-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.1A (Ta), 42A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
805pF @ 20V
Leistung - Max
2.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Basis-Produktnummer
DMTH4011

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMTH4011SPDQ-13
HTML-Datenblatt
DMTH4011SPDQ-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMTH4011SPDQ-13DITR
DMTH4011SPDQ-13DIDKR
DMTH4011SPDQ-13DICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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