Hersteller Produktnummer:
DMTH10H4M6SPS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH10H4M6SPS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 2.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventar:
2500 Stück Neu Original Auf Lager
12978964
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMTH10H4M6SPS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4327 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMTH10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMTH10H4M6SPS-13CT
31-DMTH10H4M6SPS-13TR
31-DMTH10H4M6SPS-13DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMT10H9M9SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMP610DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMT8008LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
