DMT64M1LCG-7
Hersteller Produktnummer:

DMT64M1LCG-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT64M1LCG-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 65 V 16.7A (Ta), 67.8A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12979169
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMT64M1LCG-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
65 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2626 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
V-DFN3333-8 (Type B)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMT64M1LCG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-DMT64M1LCG-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
diodes

DMT64M8LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

diodes

DMP31D7L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMN3009LFVQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMP6250SEQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R