Hersteller Produktnummer:
DMT63M6LPSW-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT63M6LPSW-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 96A (Tc) 2.7W (Ta), 70.6W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventar:
13242656
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DMT63M6LPSW-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2479 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta), 70.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMT63M6LPSW-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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