DMT615MLFV-7

Hersteller Produktnummer:

DMT615MLFV-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT615MLFV-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V PWRDI3333

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 38A (Tc) 1.76W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)

Inventar:

Angebot Anfrage Online

12896336

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

DMT615MLFV-7 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

8.5A (Ta), 38A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1039 pF @ 30 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.76W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

PowerDI3333-8 (Type UX)

Paket / Koffer

8-PowerVDFN

Basis-Produktnummer

DMT615

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMT615MLFV-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

vishay-siliconix

TP0202K-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3

diodes

DMP3018SFVQ-7

MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333

diodes

DMTH6005LPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

TSM8N70CI C0

MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB