DMT6009LSS-13
Hersteller Produktnummer:

DMT6009LSS-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT6009LSS-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 10.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventar:

8665 Stück Neu Original Auf Lager
12889449
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMT6009LSS-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
DMT6009

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMT6009LSS-13DITR
DMT6009LSS-13DIDKR
DMT6009LSS-13DICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2744(F)

MOSFET N-CH 50V 45A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8A60DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8A10K3,S5Q

MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J304T(TE85L,F)

MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM