Hersteller Produktnummer:
DMT6005LFG-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT6005LFG-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 100A (Tc) 1.98W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
12894592
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DMT6005LFG-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3150 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMT6005
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMT6005LFG-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMT6005LFG-13-DG
Einheitspreis
0.31
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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