DMT47M2LDV-13
Hersteller Produktnummer:

DMT47M2LDV-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT47M2LDV-13-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)

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DMT47M2LDV-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
891pF @ 20V
Leistung - Max
2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Basis-Produktnummer
DMT47

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMT47M2LDV-13
HTML-Datenblatt
DMT47M2LDV-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMT47M2LDV-13DI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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