Hersteller Produktnummer:
DMT30M9LPS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT30M9LPS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Inventar:
2500 Stück Neu Original Auf Lager
12894768
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DMT30M9LPS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12121 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type K)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMT30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMT30M9LPS-13DKR
DMT30M9LPS-13DI-DG
31-DMT30M9LPS-13CT
DMT30M9LPS-13DI
31-DMT30M9LPS-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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