Hersteller Produktnummer:
DMT12H007LPS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT12H007LPS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 90A (Tc) 2.9W Surface Mount PowerDI5060-8
Inventar:
6056 Stück Neu Original Auf Lager
12921712
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DMT12H007LPS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3224 pF @ 60 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.9W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMT12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMT12H007LPS-13DKR
31-DMT12H007LPS-13CT
31-DMT12H007LPS-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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