Hersteller Produktnummer:
DMT10H009SSS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT10H009SSS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 42A (Tc) 1.4W (Ta)
Inventar:
12900955
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DMT10H009SSS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
-
Gerätepaket für Lieferanten
-
Paket / Koffer
-
Basis-Produktnummer
DMT10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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