Hersteller Produktnummer:
DMT10H009SCG-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT10H009SCG-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 48A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventar:
12978787
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DMT10H009SCG-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Ta), 48A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
V-DFN3333-8 (Type B)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMT10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMT10H009SCG-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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