Hersteller Produktnummer:
DMT10H009LK3-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT10H009LK3-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
2536 Stück Neu Original Auf Lager
12978873
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMT10H009LK3-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2309 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMT10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMT10H009LK3-13DKR
31-DMT10H009LK3-13TR
31-DMT10H009LK3-13CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMT69M5LH3
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO251 TUBE
IRFR110PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
DMN2310UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
