Hersteller Produktnummer:
DMS3016SFG-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMS3016SFG-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
12883518
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMS3016SFG-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 11.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1886 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
980mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
DMS3016SFG-7DITR
DMS3016SFG7
DMS3016SFG-7DICT
DMS3016SFG-7DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RQ3E100MNTB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5261
TEILNUMMER
RQ3E100MNTB1-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E080BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
40431
TEILNUMMER
RQ3E080BNTB-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMN3731UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
DMT3008LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
