Hersteller Produktnummer:
DMS2120LFWB-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMS2120LFWB-7-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN3020B (3x2)
Inventar:
12899278
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DMS2120LFWB-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
632 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN3020B (3x2)
Paket / Koffer
8-VDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
DMS2120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMS2120LFWB-7DI
DMS2120LFWB-7DIDKR
DMS2120LFWB-7DITR
DMS2120LFWB7
DMS2120LFWB-7DICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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