Hersteller Produktnummer:
DMPH6050SFGQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMPH6050SFGQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 6.1A (Ta), 18A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
8995 Stück Neu Original Auf Lager
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DMPH6050SFGQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.1A (Ta), 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1293 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMPH6050
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMPH6050SFGQ-13CT
DMPH6050SFGQ-13-DG
31-DMPH6050SFGQ-13DKR
31-DMPH6050SFGQ-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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