DMP213DUFA-7B

Hersteller Produktnummer:

DMP213DUFA-7B

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMP213DUFA-7B-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 25 V 145mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3

Inventar:

Angebot Anfrage Online

12895488

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

DMP213DUFA-7B Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Discontinued at Digi-Key

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

25 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

145mA (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

2.7V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.35 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

-8V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

27.2 pF @ 10 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

X2-DFN0806-3

Paket / Koffer

3-XFDFN

Basis-Produktnummer

DMP213

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMP213DUFA-7B-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

10,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CL C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S

diodes

DMTH4008LFDFWQ-7

MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN

diodes

DMTH10H025LPS-13

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

diodes

DMTH6010SPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060