DMP10H088SPS-13

Hersteller Produktnummer:

DMP10H088SPS-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMP10H088SPS-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 100 V 20A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventar:

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DMP10H088SPS-13 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

6V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 4.4A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

27.7 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1808 pF @ 50 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount, Wettable Flank

Gerätepaket für Lieferanten

PowerDI5060-8 (Type UX)

Paket / Koffer

8-PowerTDFN

Basis-Produktnummer

DMP10

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Andere Namen

31-DMP10H088SPS-13TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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