Hersteller Produktnummer:
DMP1012USSQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMP1012USSQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 8.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
13242510
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DMP1012USSQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1344 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMP1012USSQ-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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