Hersteller Produktnummer:
DMNH4006SPSQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMNH4006SPSQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventar:
830 Stück Neu Original Auf Lager
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DMNH4006SPSQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2280 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMNH4006
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMNH4006SPSQ-13DITR
DMNH4006SPSQ-13DICT
DMNH4006SPSQ-13-DG
DMNH4006SPSQ-13DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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