Hersteller Produktnummer:
DMNH10H028SPSQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMNH10H028SPSQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventar:
2300 Stück Neu Original Auf Lager
12884715
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DMNH10H028SPSQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2245 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMNH10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMNH10H028SPSQ-13DIDKR
DMNH10H028SPSQ-13DICT
DMNH10H028SPSQ-13DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC252N10NSFGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
12
TEILNUMMER
BSC252N10NSFGATMA1-DG
Einheitspreis
0.45
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDMC86102
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
5035
TEILNUMMER
FDMC86102-DG
Einheitspreis
0.83
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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