Hersteller Produktnummer:
DMN95H8D5HCTI
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN95H8D5HCTI-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
18 Stück Neu Original Auf Lager
12884090
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DMN95H8D5HCTI Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
950 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
DMN95
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
DMN95H8D5HCTIDI
DMN95H8D5HCTI-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFP5N100PM
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
207
TEILNUMMER
IXFP5N100PM-DG
Einheitspreis
3.67
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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