Hersteller Produktnummer:
DMN95H8D5HCT
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN95H8D5HCT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventar:
12949375
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Menge
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DMN95H8D5HCT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
950 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB (Type TH)
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
DMN95
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
DMN95H8D5HCT-DG
DMN95H8D5HCTDI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP2N100
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTP2N100-DG
Einheitspreis
3.24
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTP2R4N120P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
14
TEILNUMMER
IXTP2R4N120P-DG
Einheitspreis
3.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTP2N100P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
136
TEILNUMMER
IXTP2N100P-DG
Einheitspreis
1.49
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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