Hersteller Produktnummer:
DMN65D8LFB-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN65D8LFB-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventar:
12895603
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DMN65D8LFB-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
25 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
430mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X1-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-UFDFN
Basis-Produktnummer
DMN65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN65D8LFB-7DIDKR
DMN65D8LFB-7DITR
DMN65D8LFB-7DICT
DMN65D8LFB-7-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NX7002BKMYL
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
91465
TEILNUMMER
NX7002BKMYL-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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