DMN62D2UWQ-13
Hersteller Produktnummer:

DMN62D2UWQ-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN62D2UWQ-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 391mA (Ta) 400µW (Ta) Surface Mount SOT-323

Inventar:

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DMN62D2UWQ-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
391mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
41 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400µW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMN62D2UWQ

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN62D2UWQ-13TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected

Alternative Modelle

Teilenummer
DMN62D2UWQ-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMN62D2UWQ-7-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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