DMN60H3D5SK3-13
Hersteller Produktnummer:

DMN60H3D5SK3-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN60H3D5SK3-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

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DMN60H3D5SK3-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
354 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMN60

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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