DMN60H080DS-7
Hersteller Produktnummer:

DMN60H080DS-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN60H080DS-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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DMN60H080DS-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100Ohm @ 60mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
25 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DMN60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMN60H080DS-7
HTML-Datenblatt
DMN60H080DS-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN60H080DS-7DIDKR
DMN60H080DS-7-DG
DMN60H080DS-7DICT
DMN60H080DS-7DITR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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