Hersteller Produktnummer:
DMN6041SVT-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN6041SVT-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 4.1A (Ta) 900mW Surface Mount TSOT-26
Inventar:
13269084
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DMN6041SVT-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1190 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-26
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN6041SVT-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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