DMN5040LSS-13

Hersteller Produktnummer:

DMN5040LSS-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN5040LSS-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 50V 5.2A 8SO T&R 2

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 50 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventar:

Angebot Anfrage Online

12883475

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

DMN5040LSS-13 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

50 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

5.2A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

836 pF @ 30 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grad

Automotive

Qualifikation

AEC-Q101

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-SO

Paket / Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Basis-Produktnummer

DMN5040

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMN5040LSS-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

diodes

DMN3024SFG-7

MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

diodes

DMN62D1LFD-7

MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN

diodes

DMTH6004SCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

diodes

DMN30H4D0L-13

MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23