Hersteller Produktnummer:
DMN39M1LK3-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN39M1LK3-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 17.9A (Ta), 89.3A (Tc) 1.4W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
2460 Stück Neu Original Auf Lager
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DMN39M1LK3-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.9A (Ta), 89.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2253 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMN39
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMN39M1LK3-13
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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