DMN3730UFB4-7
Hersteller Produktnummer:

DMN3730UFB4-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN3730UFB4-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Inventar:

20540 Stück Neu Original Auf Lager
12882944
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMN3730UFB4-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
64.3 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
470mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN3730

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN3730UFB4-7TR
DMN3730UFB4-7CT
DMN3730UFB4-7DKR
DMN3730UFB47

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMN4468LSS-13

MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

diodes

DMN3067LW-7

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

diodes

DMN2040UVT-13

MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T&R

diodes

DMN3042LFDF-13

MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN