Hersteller Produktnummer:
DMN32D0LFB4-7B
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN32D0LFB4-7B-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 440mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventar:
12888228
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DMN32D0LFB4-7B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
440mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
44.8 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN32
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DMN32D0LFB4-7BDI
DMN32D0LFB4-7BDI-DG
31-DMN32D0LFB4-7BTR
31-DMN32D0LFB4-7BDKR
31-DMN32D0LFB4-7BCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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