Hersteller Produktnummer:
DMN3190LDW-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3190LDW-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
15677 Stück Neu Original Auf Lager
12884797
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DMN3190LDW-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
87pF @ 20V
Leistung - Max
320mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
DMN3190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DMN3190LDW-13DI-DG
DMN3190LDW-13DICT
-DMN3190LDW-13DIDKR
-DMN3190LDW-13DICT
DMN3190LDW-13DI
-DMN3190LDW-13DITR
DMN3190LDW-13DIDKR
DMN3190LDW-13DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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