DMN30H4D1S-13
Hersteller Produktnummer:

DMN30H4D1S-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN30H4D1S-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 430mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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12884002
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DMN30H4D1S-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
430mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
174 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DMN30

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DMN30H4D1S-13DI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMN30H4D0L-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
6760
TEILNUMMER
DMN30H4D0L-13-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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