Hersteller Produktnummer:
DMN30H4D0LFDE-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN30H4D0LFDE-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Inventar:
12899552
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DMN30H4D0LFDE-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
550mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
187.3 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
630mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / Koffer
6-PowerUDFN
Basis-Produktnummer
DMN30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN30H4D0LFDE-13CT
DMN30H4D0LFDE-13DI-DG
31-DMN30H4D0LFDE-13DKR
DMN30H4D0LFDE-13DI
31-DMN30H4D0LFDE-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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