Hersteller Produktnummer:
DMN3061SVTQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3061SVTQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 3.4A (Ta) 880mW Surface Mount TSOT-26
Inventar:
12994286
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DMN3061SVTQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel
FET-Funktion
Standard
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
278pF @ 15V
Leistung - Max
880mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-26
Basis-Produktnummer
DMN3061
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN3061SVTQ-13
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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