DMN3061SVT-7
Hersteller Produktnummer:

DMN3061SVT-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN3061SVT-7-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT23-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 3.4A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6

Inventar:

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DMN3061SVT-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
278pF @ 15V
Leistung - Max
1.08W (Ta)
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
DMN3061

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN3061SVT-7DI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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