Hersteller Produktnummer:
DMN3061SQ-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3061SQ-7-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 2.3A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
13242761
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DMN3061SQ-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3.3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
233 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
770mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN3061SQ-7TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN3061S-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
5966
TEILNUMMER
DMN3061S-7-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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