Hersteller Produktnummer:
DMN3030LFG-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3030LFG-13-DG
Beschreibung:
DMN3030LFG-13
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
12989071
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DMN3030LFG-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
751 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMN3030
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
31-DMN3030LFG-13
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
OBSOLETE
Alternative Modelle
Teilenummer
RQ3E080GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2993
TEILNUMMER
RQ3E080GNTB-DG
Einheitspreis
0.10
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