Hersteller Produktnummer:
DMN3020LK3-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3020LK3-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 11.3A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventar:
12891643
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DMN3020LK3-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
608 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.17W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMN3020
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMN3020LK313
DMN3020LK3-13DICT
DMN3020LK3-13DITR
DMN3020LK3-13DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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