Hersteller Produktnummer:
DMN3016LDN-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3016LDN-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 7.3A 1.1W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)
Inventar:
1928 Stück Neu Original Auf Lager
12900052
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EINREICHEN
DMN3016LDN-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1415pF @ 15V
Leistung - Max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Gerätepaket für Lieferanten
V-DFN3030-8 (Type J)
Basis-Produktnummer
DMN3016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN3016LDN-7CT
DMN3016LDN-7DI-DG
31-DMN3016LDN-7DKR
DMN3016LDN-7DICT
DMN3016LDN-7DI
DMN3016LDN-7DITR
DMN3016LDN-7DIDKR
31-DMN3016LDN-7TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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