Hersteller Produktnummer:
DMN3016LDN-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3016LDN-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 9.2A 8VDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 9.2A (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)
Inventar:
12882732
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMN3016LDN-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1415pF @ 15V
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
V-DFN3030-8 (Type J)
Basis-Produktnummer
DMN3016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMC2710UVT-13
MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
DMC3016LDV-7
MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
