DMN3013LDG-7
Hersteller Produktnummer:

DMN3013LDG-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN3013LDG-7-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 9.5A (Ta), 15A (Tc) 2.16W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)

Inventar:

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DMN3013LDG-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.3mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600pF @ 15V
Leistung - Max
2.16W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerLDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (Type D)
Basis-Produktnummer
DMN3013

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMN3013LDG-7
HTML-Datenblatt
DMN3013LDG-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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