Hersteller Produktnummer:
DMN3008SCP10-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3008SCP10-7-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 14.6A (Ta) 2.7W (Ta)
Inventar:
12895021
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DMN3008SCP10-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1476 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
-
Gerätepaket für Lieferanten
-
Paket / Koffer
-
Basis-Produktnummer
DMN3008
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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