DMN26D0UFB4-7
Hersteller Produktnummer:

DMN26D0UFB4-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN26D0UFB4-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Inventar:

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12950766
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DMN26D0UFB4-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14.1 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN26

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN26D0UFB4-7DICT
DMN26D0UFB4-7DIDKR
DMN26D0UFB47
DMN26D0UFB4-7DITR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NTNS3164NZT5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
53648
TEILNUMMER
NTNS3164NZT5G-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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