Hersteller Produktnummer:
DMN2600UFB-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2600UFB-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventar:
24346 Stück Neu Original Auf Lager
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DMN2600UFB-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.85 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
70.13 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
540mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X1-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-UFDFN
Basis-Produktnummer
DMN2600
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN2600UFB-7DI
DMN2600UFB-7DICT
-DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DITR
DMN2600UFB-7DI-DG
-DMN2600UFB-7DIDKR
DMN2600UFB-7DIDKR
-DMN2600UFB-7DICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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