Hersteller Produktnummer:
DMN2451UFB4-7B
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2451UFB4-7B-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventar:
12978620
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DMN2451UFB4-7B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
32 pF @ 16 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
660mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN2451
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN2451UFB4-7BTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN2451UFB4Q-7R
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMN2451UFB4Q-7R-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
DMN2451UFB4Q-7B
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
135
TEILNUMMER
DMN2451UFB4Q-7B-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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